El término de las memorias MRAM (Memoria de acceso aleatoria magnetorresistivas) existe desde los años 90 y ha sido uno de los proyectos más ambiciosos que tienen muchos fabricantes.
Intel fue la primera en 2019 que mencionó su trabajo y la firme intención de llevar este nuevo producto a la rampa de producción.
Samsung es ahora la primera compañía que anuncia la construcción de su primer sistema de computación funcional basado en memorias MRAM.
El siguiente paso: las memorias MRAM
La llegada de este tipo objetos a la computación gracias a Samsung, significa la apertura de una nueva generación de chips.
Los resultados del uso de las MRAM en un estudio que realizaron en Samsung demostró, según la compañía, que pueden procesar una gran cantidad de datos almacenados dentro de la propia memoria sin tener que acceder a los datos de un SSD.
Esto se debe a que el procesamiento de los datos se ejecuta de manera paralela y el consumo de energía se reduce drásticamente.
Samsung confirma que su ejecución es lo complicado, pues encajarían muy bien en el desarrollo de nuevos chips de inteligencia artificial o el desarrollo de redes neurológicas.
La compañía mencionó que la dificultad no está en la producción, pues el proceso lleva planeado desde hace dos años en 28 nanómetros.
Los datos de las MRAM confirman que pueden llegar a ser hasta 1,000 veces más rápidas que el eFlash.
Samsung no es la única empresa que lleva realizando estudios y pruebas con las MRAM, pues otras compañías como Intel, HP o IBM siguen sus pasos muy de cerca.
El gigante tecnológico no anunció alguna fecha o costo, sin embargo en próximos informes estarán detallando su proceso del uso de este tipo de memorias.
