Activa las notificaciones para estar al tanto de lo más nuevo en tecnología.

ReRAM: Nuevo concepto en componentes de memoria

Un revolucionario componente de memoria podría cambiar la manera en como usamos las computadoras, se planea lanzar el año que viene. La memoria resistiva Elpida...

Un revolucionario componente de memoria podría cambiar la manera en como usamos las computadoras, se planea lanzar el año que viene. La memoria resistiva Elpida quita la distinción entre almacenamiento volátil y no volátil. ¿Que significa para usuarios y desarrolladores todo esto?

Frecuentemente vemos que cambios en los productos nos llevan a un uso del hardware de otra manera a la habitual, pero que un componente tan común como las memorias puedan llevar un cambio de paradigma resulta asombroso. Hasta ahora hemos usado DRAM – Dynamic RAM- en grandes cantidades. Es un esquema de memoria razonablemente rápido y barato, pero tiene un impacto en todo lo que hacemos: DRAM es volátil, es decir, que se le olvida la información almacenada cuando se apaga el dispositivo o máquina que lo usa.

Esta “característica” de las DRAM ha finalmente moldeado el uso que le damos a la computadora. Cuando encendemos la máquina, tenemos que esperar al proceso de que arranque el sistema operativo, el cual está en el disco duro, memoria no volátil finalmente, para recargar todo lo que se le ha olvidado a la máquina desde que la apagamos. La razón de guardar a disco los documentos, por ejemplo, es que sabemos que si se va la luz o apagamos la computadora, estos se pierden de la memoria de la máquina y entonces accedemos al disco duro para proteger la información.

Esta noción de memoria volátil y no volátil es bastante reciente en la historia del cómputo. Las primeras computadoras usaban almacenamiento de núcleos magnéticos, los cuales retenían su estado aún cuando se apagaba la máquina. Cuando regresaban al día siguiente y la encendían, los datos, todo, estaba como los habían dejado.

Ahora podríamos regresar al almacenamiento persistente. ReRAM, o memoria resistiva, está basada en el memristor, inventado por HP en el 2006. Por mucho tiempo, la electrónica involucraba capacitores, inductores y resistencias, y entonces se notó que faltaba un componente, el memristor, un dispositivo que cambia su resistencia cuando fluye la corriente eléctrica por el mismo. El flujo de la corriente en una dirección incrementa la resistencia y hacia la otra, lo decrementa. Cuando no hay corriente fluyendo, el memristor mantiene una resistencia constante. En otras palabras, un memristor “recuerda” cuánta corriente pasó por él como un valor en Ohms.

Así entonces, los memristores podrían ser usados para crear memoria no volátil, aunque en la práctica parece un poco más difícil de implementar. Elpida tiene un diseño práctico de ello y ha producido un chip de 64 MB de memoria ReRAM que es tan rápido como la memoria DRAM y diez veces más rápido que las memorias NAND usadas en los dispositivos de memorial Flash. Este invento podría atacar el mercado en el 2013 con la ayuda de Sharp. Ya hay otros fabricantes que tienen productos similares en etapas de preproducción.

Esto significa que las memorias ReRAM tienen el potencial de reemplazar las memorias NAND Flash, haciendo éstas tan rápidas como la memoria principal actual. Esto suena a buenas noticias, sin embargo, debe poderse reducir el precio de las mismas para que pueda competir contra la tecnología Flash y DRAM. Una máquina con toda la memoria ReRAM podría ser totalmente no volátil y por primera vez en 30 años, podríamos regresar a la programación persistente.

Habrá que ver qué pasa con esta tecnología, pero tal vez las máquinas del futuro muy cercano cambien la manera en como hemos hecho el cómputo en los últimos 50 años por lo menos.

Fuente: i-programmer

Para saber más: Cómo trabajan las memorias

Comentarios